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斯坦福大学取得相变存储器研究新进展

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2021910日,美国斯坦福大学的科研人员在《科学》发表论文称,他们已经找到克服限制相变存储器广泛使用的关键障碍,将促进快速、节能的计算技术开发。

几十年来,科学家们一直在寻找从大型数据中心到移动传感器和其他灵活电子设备等所有领域更快、更节能的存储技术。最有前途的数据存储技术之一是相变存储器,它比传统硬盘驱动器快数千倍,但耗电量大。相变存储器件通过温度变化,让锗、锑和碲等化合物的状态发生改变,从而进行数据的编程和存储,但是在状态之间切换通常需要大量电力,这可能会缩短移动电子产品的电池寿命。

为了应对这一挑战,斯坦福大学团队设计了一种利用纳米级存储材料制成的超晶格、孔隙单元(将超晶格层填充到其中的纳米级孔)和隔热柔性基板,新器件在柔性基板上将编程电流密度降低了10倍,在刚性硅上降低了100倍。这一材料的变化显著提高了相变存储器件的能源效率,这种低功耗的相变存储单元,可以嵌入到通常用于可弯曲智能手机、可穿戴身体传感器和其他电池供电的移动电子产品中的柔性塑料基板上。

相变内存可以实现内存计算,从而弥合计算和内存之间的差距。这项研究成果将为新一代超快计算铺平道路,是迈向灵活内存计算的重要第一步。

信息来源:

http://news.sciencenet.cn/sbhtmlnews/2021/9/365369.shtm?id=365369

https://techxplore.com/news/2021-09-stanford-discovery-pave-ultrafast-energy-efficient.html

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